Особенности ремонта транзисторов в бытовой электронике
При разработке, создании и эксплуатации сотовой аппаратуры следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.Электронные приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти условия характеризуются внешними вибрационными нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.).
Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, содержатся в частных технических условиях.
Для удобства конструирования и ремонта основные характеристики транзисторов и их схемы приведены в справочнике. К преимуществам Интернет справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу.
Под воздействием разных факторов окружающей среды некоторые характеристики транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление полупроводниковых приборов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при различных допустимых условиях эксплуатации. Надо помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании биполярных транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами необходимо покрывать лаком не менее чем в три слоя.
Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить нужные условия ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы - элементы универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других приборах. Но набор параметров и характеристик, находящихся в Интернет справочнике, соответствует основному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим трехполюсника в проектируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима заметно более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости могут использоваться при нахождении типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения параметров трехполюсников одного типа не одинаковы, а находятся в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.
При ремонте радиотехники необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших характеристик транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний.
Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.
В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.